网友提问 ：第三代半导体材料氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）利用化学气相沉积法(CVD)和多重气固反应制备：例如以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成微晶硅基氮化镓膜等。请问贵公司投资的拓荆科技CVD设备市场占有如何，特别是12英寸的PECVD市场地位如何，算不算世界先进？
2020-02-19 10:23:35
立霸股份 (603519): 回答：尊敬的投资者您好，沈阳拓荆成立于2010年4月，是一家致力于研发和生产世界领先的薄膜设备的企业，主要从事半导体薄膜设备的研发、生产和销售，主要产品包括8英寸和12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积）设备、ALD（原子层薄膜沉积）设备、3D NAND PECVD（三维结构闪存专用PECVD）设备等，产品广泛应用于集成电路前道和后道、TSV封装、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等领域的生产制造。谢谢您的关注！
2020-02-19 10:23:35