新洁能 (605111): 回答：投资者您好！自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有182项专利，其中发明专利81项、美国专利1项，集成电路布局图26项，软件著作权1项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文18篇，其中SCI收录论文11篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 至于您关注的引入战投事宜，请您持续关注公司的相关公告。谢谢。

2023-04-14 16:45:00