网友提问 ：公司开发的CVD钨设备，是否结合化学气相沉积CVD和原子层沉积ALD技术而成，用于先进的钨金属化工艺中高保形薄膜沉积，适用于3D NAND和DRAM存储？
2023-06-16 17:04:52
中微公司 (688012): 回答：您好，公司自主研发的LPCVD设备Preforma Uniflex™ CW，配备了拥有自主知识产权的优化混气方案及加热台, 具有优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性，对于弯曲度较大的晶圆，它也具备良好的工艺处理能力。并且其优异的阶梯覆盖率和填充能力，可以满足先进逻辑器件、DRAM和3D NAND中接触孔以及金属钨线的填充应用需求。谢谢您的关注。
2023-06-16 17:04:52