天岳先进 (688234): 回答：尊敬的投资者，您好！生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中，PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势，理论上具有晶体质量高等，受到产业内高度关注，但液相法的大规模应用尚存在需要攻克的产业化难点，目前液相法尚未实现产业化大规模生产。 公司积极探索和布局前瞻性技术，包括长晶工艺方面的液相法（LPE法）工艺。在2023 Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创。公司将持续加大研发力度，不断突破技术瓶颈，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。谢谢您的关注！

2024-02-26 15:41:30