锴威特 (688693): 回答：公司的功率MOSFET产品专注于平面技术路线，采用纵向垂直结构，结合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术，一方面可使终端表面的电场分布更加均匀，可有效降低终端Si-SiO2界面态以及可动离子的影响；另一方面可缩小终端尺寸，有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合，公司的平面MOSFET产品有效降低了高温漏电及持续开关动作后击穿电压的跌落，拥有突出的高温可靠性。公司的平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成较为齐全的产品系列，拥有近500款不同规格的产品。
常规平面MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比，其反向恢复速度较低，反向恢复特性较差。如将其应用在电机控制系统以及半桥、全桥和LLC的电源系统中，会导致开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率MOSFET的安全工作。为了减小反向恢复导致的开关损耗，常规做法是在平面MOSFET上并联一颗FRED（超快恢复二极管），但由于FRED和MOSFET寄生体二极管并联，存在竞争，仍会有部分电流流过寄生体二极管，为避免这种情况，功率部分的设计和控制都会变得复杂。针对上述情况，公司在平面MOSFET工艺平台的基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。该类产品具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短的特性，形成近60款不同规格产品。
谢谢！

2023-08-07 15:15:00