锴威特 (688693): 回答：（1）功率器件方面
公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能，开拓战略大客户；优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局、技术积累和客户开发；进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的产品系列，寻求对应的8英寸、12英寸产线代工资源和客户资源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性；加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200V SiC MOSFET进行系列化开发；对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V-2500V SiC MOSFET进行系列化开发。
（2）功率IC方面
公司将始终坚持技术创新，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养；实时关注国外先进厂商的技术发展动态，不断对照差距，进行前沿技术的研发与探索；公司将结合积累的研发经验和技术优势，持续加大对PWM控制IC和栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累，开发更多的系列化产品；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户，满足客户对高端功率IC的需求。
（3）技术服务方面
为了进一步提升技术服务能力及服务质量，持续增强公司定义自主产品的能力，公司拟采取以下措施：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠性考核平台，进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对研发领域分工，专注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍，深入市场了解客户未来需求，以争取到更多的项目机会。
（4）其他产品方面
通过加强对人员和资金的投入，加大对IPM、光继电器（Photo MOS）等产品进行研发投入和市场开拓，丰富公司的产品品类和技术积累，满足更多客户的不同需求。
谢谢！

2023-08-07 14:48:00