锴威特 (688693): 回答：以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，SiC材料相对于硅基材料主要拥有如下优势：耐高压、耐高温、工作频率高。
① 耐高压 SiC的击穿场强约为硅的10倍，这就意味着同样电压等级的SiC MOSFET晶圆外延层厚度只要硅的十分之一，是应用于超高压功率器件的理想材料。
② 耐高温 SiC的禁带宽度是硅基材料的3倍，SiC的热导率是硅基材料的2-3倍，故SiC功率器件的应用可使散热器体积减小。
③ 高频 SiC的电子饱和速度是硅基材料的2-3倍，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率 。
国家设立了“2030年前碳排放达峰，2060年前碳中和”的双碳战略目标，未来制造业企业将进一步提升能源利用效率、减少碳排放，SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用，其应用前景广阔。
谢谢！

2023-08-07 14:32:00