露笑科技 (002617): 回答：答：SiC晶体生长经历了三个阶段，即Acheson法（1891年）、Lely法（1955年）、改进的Lely法（1978年）。Acheson法主要用来生产磨料，现在仍是生产磨料的主要方法，鳞状单晶片是副产品。Lely法的应用使SiC晶体生长向前迈进了一步，但是和Acheson法一样，由于无法有效控制成核，单晶尺寸小，阻碍了SiC晶体的应用。1978年，前苏联科学家Tairov和Tsvetkov在前人的基础上，率先使用籽晶生长出SiC单晶，称为改进的Lely法。这是一个划时代的发明，极大地促进了SiC晶体的生长和应用。西屋科学技术中心的科学家对改进的Lely法进行了优化，称之为物理气相输运技术（PVT）。PVT法是目前生长SiC单晶最优异的方法。从SiC晶体生长的简单历史回顾看出，由于Tairov和Tsvetkov两位科学家以论文的形式（Yu. M. Tairov and V. F.Tsvetkov, Investigation of Growth Process Ingots ofSilicon Carbide Single Crystal, J. Cryst. Growth, 43:209-212, 1978）报道了他们的研究成果，而没有申请专利，因此SiC晶体生长技术（这里专指PVT法）是公开的技术，任何单位和个人都有权使用这种方法生长SiC晶体。6英寸碳化硅晶体生长的关键在于温场的调控和籽晶的粘接，这些所谓的“know-how”是晶体生长研究者长期实践的总结，一般是不申请专利的。目前已公开的 SiC 晶体生长专利主要侧重于生长设备、晶体生长的某些细节或籽晶处理等方面。露笑技术团队经过坚持不懈的技术攻关，全面掌握了生长工艺参数之间的耦合关系，确定了各工艺参数的优值，具备了可重复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件。基于技术保密的需要，露笑暂未申请相关专利，待时机成熟后公司会加大专利布局的力度。

2021-12-03 00:00:00