网友提问 :公司研发费用占比高于同行公司 公司是出于什么考虑 有哪些研发成果?

2023-05-11 15:24:21

华灿光电 (300323): 回答:公司高度重视技术研发,2022年持续加大研发投入,整合现有研发资源,扩大研发团队,完善研发体系,积极推动以技术驱动发展。2022年,公司在Micro LED以及GaN电力电子器件市场取得了突破:Micro LED像素器件已实现上屏点亮,预计2023年可小规模量产,用于AR近眼显示的微显示屏幕已实现多色样品屏幕动态画面展示;GaN电力电子在自有外延方面已启动6英寸蓝宝石衬底研发,且初步完成650V GaN on Si for D-mode&E-mode的外延片研发和流片;在器件方面,完成了650V GaN产品的小批量出样和测试,650V GaN MOSFET出样,性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用,为2023年产品全面上市推广奠定基础。截至2022年12月31日,公司及子公司专利及软件著作权共1125项(其中已授权876项,正在审核中249项),其中发明专利792项,实用新型83项,外观设计1项。

2023-05-11 16:11:01

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华灿光电股票

华灿光电
法定名称:
华灿光电股份有限公司
公司简介:
公司由华灿有限整体变更而来。华灿有限成立于2005年11月8日,2011年2月12日,武汉市商务局以"武商务[2011]40号",批准华灿有限以截至2010年12月31日的净资产(扣除应付股利)折股整体变更为股份有限公司。经大信会计师审计,华灿有限截至2010年12月31日净资产为587,252,869.75元,扣除应付股利14,700,000元后,按照3.8170:1的比例,折合成150,000,000股,每股1元,余额计入资本公积,变更后股份公司的注册资本为150,000,000元。2011年2月25日,公司取得了武汉市工商行政管理局核发的注册号为420100000048971的。
经营范围:
LED芯片、LED外延片、蓝宝石衬底及第三代半导体化合物GaN电力电子器件的研发、生产和销售。
注册地址
湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
办公地址
湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号

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