网友提问 :尊敬郑总您好:
业内有三代化合物MOS、SBD,会全面替代硅基IGBT和MOS的观点。
士兰微背负了很重的硅基产线。请问如果技术变革超预期,造成硅基IGBT和MOS淘汰。士兰微有何应对策略来维持硅基产线的产能利用率?
是否会造成技术淘汰,产生巨额亏损?
产线是否可以转换为其他产品,比如其他模拟芯片生产来保证产能不被淘汰?

2023-05-24 15:15:00

士兰微 (600460): 回答:IGBT与SIC不是完全相互替代关系,是互补关系。不存在IGBT淘汰的问题

2023-05-24 16:27:00

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士兰微
法定名称:
杭州士兰微电子股份有限公司
公司简介:
公司前身为杭州士兰电子有限公司,于1997年9月25日在杭州市工商行政管理局登记注册,2000年10月,经浙江省人民政府企业上市工作领导小组浙上市2000]21号文批复同意,原杭州士兰电子有限公司整体变更为杭州士兰微电子股份有限公司,并于2000年10月28日在浙江省工商行政管理局登记注册,取得了《企业法人营业执照》。公司股票已于2003年3月11日在上海证券交易所挂牌交易。
经营范围:
电子元器件、电子零部件及其他电子产品设计、制造、销售;机电产品进出口。
注册地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
办公地址
浙江省杭州市黄姑山路4号

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