网友提问 ：请介绍公司取得的科技成果与产业深度融合的具体情况。
2023-04-28 14:16:00
慧智微-U (688512): 回答：1、公司自主研发的可重构射频前端平台，采用“绝缘硅 砷化镓”混合架构，构筑竞争壁垒
随着通信制式不断升级导致射频前端器件数量日益增长，而智能手机的空间布局和成本预算有限，对射频前端的集成度要求越来越高。自2011年成立以来，公司前瞻性预判产业发展趋势，致力于创新射频前端架构，提出了拥有自主知识产权的AgiPAM®️可重构射频前端平台，通过数字定义可配置射频通路的技术方案，大幅提升射频前端的集成度，有效平衡了射频前端的性能和成本。
在学术界，公司是可重构射频射频前端技术的倡导者。2019年，李阳等在IEEE MTT-S International Wireless Symposium （IWS）发表了《Overview of Development in Reconfigurable Multi-Mode Multi-Band Power Amplifier Design》，总结了学术界已有可重构、可配置射频前端设计的优缺点，并着重介绍了公司在大信号补偿电路方面的可重构技术特点。2019年，李阳等在第13届IEEE国际专用集成电路会议（ASICON）发表《Reconfigurable RF Power Amplifier in 5G/4G with RF-SOI CMOS》，介绍了公司可重构射频PA的技术原理和商用化进展，展示了基于射频绝缘硅材料相关工艺的可重构技术高度契合4G/5G复杂的通信要求。
2、基于可重构的射频前端架构，公司在性能、成本和系统设计上拥有独特的竞争优势
基于公司自主研发的可重构射频前端架构，摆脱了固有的技术跟随和产品模仿，为公司在2020年顺利推出5G新频段L-PAMiF发射模组奠定了坚实基础。
传统射频PA一般采用全砷化镓特色工艺，需要多次设计迭代找到最优设计参数，全球产能供应有限，成本较高，严重依赖规模效应，小型初创公司相比国际巨头设计迭代时间长，存在较大的供应链进入门槛和成本压力。公司基于“绝缘硅 砷化镓”材料的可重构硬件架构，采用易于构建大规模集成电路并具有优越射频性能的绝缘硅晶圆实现自适应输出偏置电压技术、功放电路记忆效应改善技术、自适应模拟预失真技术、匹配网络可重构技术、驱动级射频放大技术等硬件电路，通过控制电路的指令动态配置射频通路的结构和参数，从而获得较为优异的射频性能，同时减少砷化镓晶圆使用面积，成熟的绝缘硅晶圆的单位成本相对较低，有利于优化整体晶圆成本。公司的部分产品已经达到大带宽覆盖能力，实现了通路共用，进一步优化成本和体积。同时，由于架构具有的可配置能力，可以通过软件优化实现设计迭代，减少了流片次数，进而减少了产品研发时间。
此外，公司将绝缘硅材料用于控制芯片、IPD滤波器、射频开关、LNA及被动元器件等，通过对绝缘硅材料相关的器件进行单芯片集成，大幅提高集成度，减少外围被动元器件的使用，降低封装的复杂程度和贴装器件的数量。
谢谢
随着通信制式不断升级导致射频前端器件数量日益增长，而智能手机的空间布局和成本预算有限，对射频前端的集成度要求越来越高。自2011年成立以来，公司前瞻性预判产业发展趋势，致力于创新射频前端架构，提出了拥有自主知识产权的AgiPAM®️可重构射频前端平台，通过数字定义可配置射频通路的技术方案，大幅提升射频前端的集成度，有效平衡了射频前端的性能和成本。
在学术界，公司是可重构射频射频前端技术的倡导者。2019年，李阳等在IEEE MTT-S International Wireless Symposium （IWS）发表了《Overview of Development in Reconfigurable Multi-Mode Multi-Band Power Amplifier Design》，总结了学术界已有可重构、可配置射频前端设计的优缺点，并着重介绍了公司在大信号补偿电路方面的可重构技术特点。2019年，李阳等在第13届IEEE国际专用集成电路会议（ASICON）发表《Reconfigurable RF Power Amplifier in 5G/4G with RF-SOI CMOS》，介绍了公司可重构射频PA的技术原理和商用化进展，展示了基于射频绝缘硅材料相关工艺的可重构技术高度契合4G/5G复杂的通信要求。
2、基于可重构的射频前端架构，公司在性能、成本和系统设计上拥有独特的竞争优势
基于公司自主研发的可重构射频前端架构，摆脱了固有的技术跟随和产品模仿，为公司在2020年顺利推出5G新频段L-PAMiF发射模组奠定了坚实基础。
传统射频PA一般采用全砷化镓特色工艺，需要多次设计迭代找到最优设计参数，全球产能供应有限，成本较高，严重依赖规模效应，小型初创公司相比国际巨头设计迭代时间长，存在较大的供应链进入门槛和成本压力。公司基于“绝缘硅 砷化镓”材料的可重构硬件架构，采用易于构建大规模集成电路并具有优越射频性能的绝缘硅晶圆实现自适应输出偏置电压技术、功放电路记忆效应改善技术、自适应模拟预失真技术、匹配网络可重构技术、驱动级射频放大技术等硬件电路，通过控制电路的指令动态配置射频通路的结构和参数，从而获得较为优异的射频性能，同时减少砷化镓晶圆使用面积，成熟的绝缘硅晶圆的单位成本相对较低，有利于优化整体晶圆成本。公司的部分产品已经达到大带宽覆盖能力，实现了通路共用，进一步优化成本和体积。同时，由于架构具有的可配置能力，可以通过软件优化实现设计迭代，减少了流片次数，进而减少了产品研发时间。
此外，公司将绝缘硅材料用于控制芯片、IPD滤波器、射频开关、LNA及被动元器件等，通过对绝缘硅材料相关的器件进行单芯片集成，大幅提高集成度，减少外围被动元器件的使用，降低封装的复杂程度和贴装器件的数量。
谢谢
2023-04-28 14:16:00