网友提问 ：您好，请您介绍下公司SiC功率器件研发升级项目的可行性与公司现有主要业务、核心技术之间的关系？
2023-08-07 14:16:00
锴威特 (688693): 回答：公司在深耕功率器件、功率IC产品的基础上，积极布局第三代半导体研发，公司已完成了SiC功率器件设计平台、测试验证平台建设，在SiC功率器件的关键器件工艺、SiC MOSFET低缺陷密度栅氧工艺、SiC功率器件结构设计和高压终端技术等方面积累了较多的经验。
在SiC功率器件研发升级项目拟推出的新产品中，SiC功率器件具体包括650V-1700V SiC MOSFET产品系列、650V-1700V SiC SBD产品系列和650V-1200V SiC SKMOS（集成SBD的SiC MOSFET）产品系列；SiC模块具体包括基于SiC SKMOS的功率模块和基于SiC SKMOS的IPM智能功率模块。
650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD是基于公司4寸SiC晶圆技术而升级至6寸SiC晶圆技术，采用先进的制程技术及设备，结合芯片设计的优化实现芯片的功率密度进一步提升；650V-1200V SiC SKMOS（集成SBD的SiC MOSFET）是在公司已有的SiC MOS和SiC SBD工艺技术的基础上进行研制；SiC SKMOS的功率模块是在公司已有的SKMOS工艺和设计基础上结合积累的功率模块设计经验进行研制；SiC SKMOS的IPM智能功率模块是利用公司已有的栅极驱动IC，结合开发的SKMOS进行研制。
公司将把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性能SiC功率器件的量产进程。近三年来，公司已掌握了SiC功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客户的认证和采购。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。
该研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的设计及工艺开发经验基础上进行的进一步开发。
谢谢！
在SiC功率器件研发升级项目拟推出的新产品中，SiC功率器件具体包括650V-1700V SiC MOSFET产品系列、650V-1700V SiC SBD产品系列和650V-1200V SiC SKMOS（集成SBD的SiC MOSFET）产品系列；SiC模块具体包括基于SiC SKMOS的功率模块和基于SiC SKMOS的IPM智能功率模块。
650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD是基于公司4寸SiC晶圆技术而升级至6寸SiC晶圆技术，采用先进的制程技术及设备，结合芯片设计的优化实现芯片的功率密度进一步提升；650V-1200V SiC SKMOS（集成SBD的SiC MOSFET）是在公司已有的SiC MOS和SiC SBD工艺技术的基础上进行研制；SiC SKMOS的功率模块是在公司已有的SKMOS工艺和设计基础上结合积累的功率模块设计经验进行研制；SiC SKMOS的IPM智能功率模块是利用公司已有的栅极驱动IC，结合开发的SKMOS进行研制。
公司将把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性能SiC功率器件的量产进程。近三年来，公司已掌握了SiC功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客户的认证和采购。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。
该研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的设计及工艺开发经验基础上进行的进一步开发。
谢谢！
2023-08-07 14:38:00