至纯科技 (603690): 回答：公司提供湿法清洗设备，包括湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备，聚焦晶圆制造的前道工艺，主要应用于扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。高端产品包括 SPM 高温硫酸、去胶、晶背清洗等清洗设备。 单片高温 SPM 工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗，目的是把晶圆表面反应后残余的光刻胶聚合物清除干净。单片 SPM 工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺，清洗工艺次数超过 30 道，是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。此外 SPM 工艺被广泛应用在浅槽隔离（STI）、接触孔刻蚀后（CT）等高深宽结构，以及鳍式晶体管（FinFET） 、电容（capacitor）等高度复杂图形区域，故SPM 工艺被公认是 28/14nm 性能要求最高的工艺，也是最具挑战的湿法工艺设备。在至纯科技的单片 SPM 工艺取得关键突破之前，所有的单片 SPM 设备全部由国外厂商所垄断。此外公司开发硫酸回收系统与单片 SPM 设备搭配使用，最高可以实现 80%以上的硫酸回收，单台每年可为用户节省 160~180 万美金的硫酸费用，同时降低用户在危废排放方面的压力。公司单片清洗机台设计采用类国际一流设备的架构，拥有自己专利和技术布局。目前产品的各项工艺指标可精准对标国际龙头大厂设备指标，并已实现 40 纳米以下少于 20 个剩余颗粒的处理。 Backside clean（晶背清洗）工艺是在芯片制造工艺中相当重要的湿法工艺。晶圆表面洁净度会影响后续半导体工艺及产品的合格率，因此半导体生产过程中的污染控制至关重要，尤其是金属污染。早期曾有文献指出，在制造过程中，因未能有效去除晶圆表面的污染而产生的耗损，在所有产额损失中，可能占达50%以上的比例。半导体生产设备中单价最高的是光刻机，晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶圆以最佳状态进入光刻机，避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(如金属和颗粒)而停机，并因此产生巨大损失。晶圆背面清洗的重要性及步骤数量随着工艺进步和金属层的增加而增加。目前国内晶圆厂商普遍采用由海外大厂制造的机台，至纯科技作为后起之秀，目前已实现 Backside etch（背面蚀刻）功能，达到客户的验收标准。通过背面单片机台清洗后，可实现 40 纳米以上少于 10 个剩余颗粒的处理。同时金属污染可控制在 1E+9（原子/平方厘米）以内。目前产品的各项工艺指标可精确对标国际大厂设备指标。

2024-05-29 16:36:00