锴威特 (688693): 回答：1、硅基器件方面：在硅基器件方面，公司已拥有“多次外延的超级结MOSFET设计平台”“屏蔽栅沟槽MOSFET设计平台”等技术储备。
2、第三代半导体器件方面：在第三代半导体器件方面，公司已在SiC功率器件的器件结构、关键工艺等方面积累了较多的设计研发经验，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术，拥有“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”、“碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法”、“一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法”等多项专利储备，SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
3、功率IC方面：在功率IC方面，公司基于0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺搭建了设计平台，已拥有多项经验证的IP核和相关技术积累，已完成针对第三代半导体器件的配套驱动IC样品试制。
4、其他产品：公司针对光电结合的功率开关，基于SOI工艺平台已完成了8V、12V、16V、20V四个电压段的光电转换芯片的研制并同公司的MOSFET合封来实现固态继电器产品系列，相关产品已完成试制阶段认证；公司还通过二次集成已实现了针对不同应用的电机驱动IPM解决方案，已完成500V、600V单相、三相驱动的IPM模块的试制。
未来，公司将在功率器件和模块封装可靠性、功率IC产品多品类研发、SiC高温封装应用、SiC MOSFET光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研究，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。
谢谢！

2023-08-07 14:19:00