锴威特 (688693): 回答：公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。截至2023年7月13日，公司已获授权专利71项（其中发明专利28项、实用新型专利43项,另有2项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书），集成电路布图设计专有权53项。
在功率器件方面，公司已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。在平面MOSFET方面，公司核心技术具体包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中，公司利用“高压MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的FRMOS产品具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性；在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标，增强了产品市场竞争力。
在功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台，公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
谢谢!

2023-08-07 14:19:00