网友提问 :问题二:g/i 线光刻胶、OLED 光刻胶、PSPI 光刻胶的技术难度?

2024-01-11 00:00:00

艾森股份 (688720): 回答:回答:在先进封装、OLED 显示面板领域,g/i 线光刻胶的分辨率能够满足目前加工工艺的需求,且该领域特有的功能要求带来差异化的技术要求和技术难点,并非单独依靠更高分辨率的光刻胶就能解决。比如,先进封装领域用通过光刻工艺制作铜凸块和 RDL 线路,其中单个凸块高度达到 50~100μm,是一般集成电路电路厚度的 50~100 倍。因此,相较于晶圆制造所用光刻胶,先进封装中的光刻胶要求更大的涂布厚度、更高的宽深比、更高的显影后垂直度,且需要耐受电镀工艺不变形。OLED 阵列制造用光刻胶与晶圆制造 i 线光刻胶一样需要满足 1.5μm的分辨率。其特殊要求主要体现在大尺寸涂布均匀性、多种底材适应性和低感度等。OLED 阵列制造用光刻胶主要用于在大面积的玻璃基板上完成像素阵列的制造,其涂布面积远大于集成电路的晶圆,是 12 寸晶圆的32 倍大小。在大尺寸涂布的情况下,OLED 阵列制造用光刻胶的均匀性差异要求低于 3%,要求高于一般晶圆制造中 5%以下的差异要求。此外,OLED 阵列制造过程使用一款光刻胶完成多层结构制造,因此需要光刻胶对玻璃、钛、ITO、PI 等多种底材具有良好的结合力。此外,同样采用 g/i 线曝光光源的 PSPI(光敏聚酰亚胺)主要用于部分芯片结构的绝缘层,作为直接材料保留在器件里,对可靠性要求更高,技术难度甚至高于光刻胶。

2024-01-11 00:00:00

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